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非等向性離子反應式深矽蝕刻系統(Deep RIE)
儀器說明

一、 廠牌與型號:

 SPTS LPX Pegasus

二、機台特性

本系統為「非等向性乾式矽蝕刻機」,具有下列特性:

(1)  具有高深寬比特性及能夠蝕刻單晶矽或多晶矽。

(2)  滿足4吋與6吋矽晶圓的蝕刻需求。(6吋暫不受理)

(3)  具備Through Wafer矽蝕刻的特性,可提供需要大質量塊的奈微元件所需。

(4)  最小蝕刻線距(Trench)達到4μm

(5)  達成蝕刻側邊粗糙度的平滑化,以減小蝕刻部分的表面粗糙度或Scalloping (Sidewall Scallop<150nm)

(6)  光阻與矽的蝕刻比大於25,以實現更小的線寬、線距,而達成高解析度製程之需求。

(7)  蝕刻輪廓垂直於晶圓面,誤差小於正負1度,以減少元件運作時的誤差。

(8)  晶圓蝕刻的Uniformity小於正負5%

三、注意事項

(1)  蝕刻材料:Si wafer(不允許含金屬材料)

(2)  使用氣體:SF6C4H8O2

(3)  遮罩材料:正光阻、SiO2

四、服務項目及收費標準

   

設備名稱 / 服務項目 清大 其他學界 業界

非等向性離子反應式深矽蝕刻系統(Deep RIE

委託代工

代工費

4,000/

6,000/

8,000/

自行操作

開機費(1hr)

1,600/

暫不開放

暫不開放

超時費

400/刻鐘

暫不開放

暫不開放

 

五、代工申請表

代工申請單下載

代工交件、取件統一窗口為106室 林瑟蘭 小姐,送代工前請先向機台負責人連繫 ( 電話或電郵 ) 確認後,送件至中心106室 林小姐

六、機台負責人
聯絡人
負責人員

黃如君  博士  

mail:jchuang@mx.nthu.edu.tw


Tel

03 - 5742489

或校內分機 42489


 

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