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介電層反應離子蝕刻系統II(Dielectric RIE-80PLUS)
儀器說明

一、 廠牌與型號:

 Oxford 80PLUS

二、用途

Etch Si3N4, SiO2 on 4"silicon wafer

三、重要規格

RF Power: 0~200 W
Gas: SF6, CHF3, O2
Main pump: Turbo pump

四注意事項:

 wafer可含有III-V族金屬及其金屬須與管理者確認
送件時請詳細註明欲蝕刻之種類及厚度,並於代工申請單上繪畫wafer剖面圖

五、服務項目及收費標準

   

設備名稱 / 服務項目 清大 其他學界 業界

介電層反應離子蝕刻系統(Dielectric 80PLUS

委託代工

開機費(2hr)

3,000/

4,500/

6,000/

超過開機時間

加收費

1,500/

2,000/

3,000/

自行操作

開機費(2hr)

2,000/

2,800/

4,000/

超過2hr

15分鐘加收

250/刻鐘

350/刻鐘

500/刻鐘

六、操作手冊

操作手冊下載

七、代工申請表

代工申請單下載

代工交件、取件統一窗口為106室 林瑟蘭 小姐,送代工前請先向機台負責人連繫 ( 電話或電郵 ) 確認後,送件至中心106室 林小姐

八、機台即時訊息

九、負責人員
聯絡人
負責助理

戴依馨 小姐  

mail:yhtai@mx.nthu.edu.tw


Tel

03 - 5742292

或校內分機 42292


 

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