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後三化學槽(Chemical Bench Ⅰ)
儀器說明

一、 廠牌與型號:

清洗蝕刻用化學站
廠商:嵩展工業有限公司    

二、用途

標準清洗 (僅能清洗乾淨的晶片,不得清洗光阻、金屬、三五族)

三、重要規格

需小於6吋WAFER(包含6吋WAFER),清洗破片需自備晶舟

四、注意事項:

使用化學站時需穿著防護器具,且了解使用規定及相關規範,開始使用前必須先寫紀錄本,違者重罰。 

Wafer如有光阻必須先經化學站二標準清洗後,才能進化學站一清洗。

基於防範化學槽汙染及安全考量,使用下一個化學槽前,必需用DI WATER 清洗至水阻值8MΩ並且旋乾後才能進行下一個製程。

五、服務項目及收費標準

   

設備名稱 / 服務項目 清大 其他學界 業界

工三館後三化學站(Chemical Bench I

委託代工

開機費

(2小時)

1,000/

1,500/

2,000/

超過開機時間

加收費

500/

750/

1,000/

自行操作

設備

使用費

進出管理費已包含

僅提供四吋晶圓標準清洗(H2SO4及HF之清洗)之代工(結構層不含金屬及三、五且為乾淨的晶圓)

六、操作手冊

下載手冊                           前後棟配置圖(請自行列印)

七、代工申請表

代工申請單下載

代工交件、取件統一窗口為106室 林瑟蘭 小姐,送代工前請先向機台負責人連繫 ( 電話或電郵 ) 確認後,送件至中心106室 林小姐

八、機台即時訊息

九、負責人員
聯絡人
負責助理

吳若穎、戴依馨 小姐  

mailwury@mx.nthu.edu.tw

          yhtai@mx.nthu.edu.tw


Tel

03 - 5742291,5742292

或校內分機 42291,42292


 

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