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金屬反應離子蝕刻系統(Metal RIE-200L)
儀器說明

一、 廠牌與型號:

Samco

]

二、用途

金屬蝕刻(以Al為主)及氮化物(AlN, TiN, TaN等)for 4", 6", 8" silicon wafer

三、重要規格

RF Power: 0~250 W, 13.56 MHz
Gas: N2, O2, CF4, Ar, BCl3, Cl2
Main pump: Turbo pump
Ultimate pressure: 10-4 Pa
Process Pressure: 1.33~25 Pa

四、注意事項:

送件時請詳細註明欲蝕刻之種類及厚度,並於代工申請單上畫出wafer剖面圖

1.      200L不開放鐵、鈷、鎳等磁性材料與銅、金進Chamber。

2.      製程參數RF最大限制在250W以下操作,若進行高功率製程造成機台

損害,由User實驗室賠償維修金額。

3.      開放進行durty process將會造成製程條件不穩定性增高,若發生不穩定

參數條件,奈材中心將不負任何製程上的保證。

五、服務項目及收費標準

   

設備名稱 / 服務項目 清大 其他學界 業界

金屬反應離子蝕刻系統(Metal RIE-200L

委託代工

開機費(2hr)

3,200/

4,800/

6,400/

超過開機時間

加收費

1,600/

2,400/

3,200/

自行操作

開機費(2hr)

2,400/

3,600/

4,800/

超過2hr

15分鐘加收

300/刻鐘

450/刻鐘

600/刻鐘

六、操作手冊

下載手冊      

七、代工申請表

代工申請單下載

代工交件、取件統一窗口為106室 林瑟蘭 小姐,送代工前請先向機台負責人連繫 ( 電話或電郵 ) 確認後,送件至中心106室 林小姐

八、機台即時訊息

九、負責人員
聯絡人
負責助理

張瀞文 小姐  

mail:changcw@mx.nthu.edu.tw


Tel

03 - 5742291,5742292

或校內分機 42291,42292


 

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