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電漿輔助化學氣相沈積系統SAMCO(PECVD System)
儀器說明

一、 廠牌與型號:

Samco/ PD10st

二、用途

沈積TEOS-Oxide ;SiO2 (SiH4 + N2O);Si3N4 (SiH4 + NH3)

三、重要規格
  • Wafer size: 4" (uniformity <5%) ~ 6" silicon wafer
  • Process pressure: 0.4~0.6 torr
  • Temperature: < 300 ℃
  • Film thickness constrain: TEOS-Oxide: < 5 μm; SiON: < 1 μm; SiO2: < 1 μm; Si3N4: < 1 μm
  • Uniformity : < 5 %
  • 破片必須大於2*2平方公分
  • 含金屬之結構不得進入( Al 除外),如造成污染須賠償清洗及相關費用
  •  如製程特殊請先向管理者申請

四、服務項目及收費標準

   

設備名稱 / 服務項目 清大 其他學界 業界

電漿輔助化學氣相沈積系統SAMCOPECVD System

委託代工

開機費(2hr)

3,000/

4,500/

6,000/

超過開機時間

加收費

1,500/

2,000/

3,000/

自行操作

開機費(2hr)

1,600/

2,400/

3,200/

超過2hr

15分鐘加收

200/刻鐘

300/刻鐘

400/刻鐘

五、操作手冊

六、代工申請表

代工交件、取件統一窗口為106室 林瑟蘭 小姐,送代工前請先向機台負責人連繫 ( 電話或電郵 ) 確認後,送件至中心106室 林小姐

七、機台即時訊息

負責人員
聯絡人
負責助理

吳若穎 小姐  

mail:wury@mx.nthu.edu.tw


Tel

03 - 5742291,5742292

或校內分機 42291,42292


 

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